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IC制造過程中去除光刻膠

光刻膠的去除在IC制造工藝流程中占非常重要的地位，其成本約占IC制造工藝的20-30%，光刻膠去膠效果太弱影響生產效率，去膠效果太強容易造成基底損傷，影響整個產品的成品率 。傳統主流去膠方法采用濕法去膠，成本低效率高，但隨著技術不斷迭代更新，越來越多IC制造商開始采用干法式去膠，干法式去膠工藝不同于傳統的濕法式去膠工藝，它不需要浸泡化學溶劑，也不用烘干，去膠過程更容易控制，避免過多算上基底， 提高產品成品率。

干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環境中發生反應來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一 氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。